CQ9电子官方网站珠海镓未来科技取得半导体功率器件专利改进绝缘区域的介质材料金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司取得一项名为“半导体功率器件”的专利CQ9电子，授权公告号 CN 221783215 U，申请日期为 2024 年 2 月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括层叠设置的衬底、缓冲层CQ9电子、沟道层、势垒层、钝化层及介质叠层，在介质叠层两侧设有源极和漏极CQ9电子，源极和漏极分别穿过介质叠层且与势垒层欧姆接触，在源极和漏极之间的介质叠层内设有栅极和与栅极连接的栅极场板，栅极的下表面与钝化层接触，栅极场板与所述介质叠层之间设有界面阻隔层。本实用新型通过将界面阻隔层提前覆盖到栅场板与功能绝缘层/介质叠层接触的位置，这样，与场板底部接触的绝缘区域，由原来包含多层受到工艺损伤的低质量材料边界面，改进为单一高质量介质材料。